Рaзрaбoтчики сoврeмeннoй кoмпьютeрнoй пaмяти стрeмятся к дoстижeнию кoмпрoмиссa посередь потребляемой энергией и скоростью работы. Прототип памяти, представленный в Nature Communications, объединяет в себя высокую скорость с низким потреблением энергии на базе технологий солнечных панелей.

Рамамурти Рамеш, материаловед из Калифорнийского университета в Беркли совместно с Юлинг Ванг из Сингапурского университета создали нынешний прототип из материала под названием феррит висмута.

Принцип работы обычной компьютерной памяти базируется получи и распишись ячейках, разница заряда которых интерпретируется как бинарные 1 и 0. Предзнаменование феррита висмута заключается в том, что эти бинарные состояния или биты, представлены двумя состояниями поляризациями, переход между которыми возможно путём приложения вольтажа — физическое мерило известное как ферроэлектричество. Ферроэлектрическая RAM из других материалов поуже доступна на рынке. Хотя эта память отличается высокой скоростью, симпатия не получила широкого распространения. Одна из причин сего заключается в том, что электрический сигнал для чтения лапта одновременно удаляет его, поэтому его приходится перезаписывать при каждом обращении к нему. Сие приводит к снижению надёжности со временем.

Учёные воспользовались свойством феррита висмута, которое позволяет считывать информацию, малограмотный уничтожая её.

Тесты показали, что процесс записи и чтения ячеек памяти занимает всего 10 наносекунд, а протокол информации требует около 3 вольт. Для сравнения, лучшие образцы флэш-памяти считывают и записывают информацию в 10 000 в один прекрасный день медленнее, при этом требуют 15 вольт для журнал.

Оригинал (на англ. языке): Nature.com

українська версія: Ферроелектріческая компьютер'ютерна пам'ять працює в 10 000 разів швидше і ефективніше