Мeтoд молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) основан возьми выращивании полупроводниковых слоев из испаряемых в сверхвысоком вакууме эффузионными источниками компонентов, причем рассылка потоков компонентов роста в объеме происходит в режиме молекулярного пролёта…