Создан новый тип универсальной памяти, быстрой, как RAM, и энергонезависимой, как Flash

257f4b21b81d12cb3db4e8035347dd26

Исслeдoвaтeли из Мoскoвскoгo физикo-тexничeскoгo институтa (МФТИ) нaшли нoвый спoсoб эффeктивнoгo упрaвлeния кoнцeнтрaциeй кислорода в тонких пленках оксида тантала, полученных методом смещения атомных слоев. А сии пленки, в свою очередь, могут стать активными элементами новых типов энергонезависимой памяти, обладающей скоростными характеристиками, сравнимыми с характеристиками динамической памяти (DRAM).

Отметим, что же технологии хранения информации являются основой всех современных вычислительных технологий. И одним из перспективных направлений в развитии всего сего является разработка универсальной памяти, обладающей высокими скоростными характеристиками, сочетающимися со стабильностью и надежностью энергонезависимой Flash-памяти. Одним из типов универсальной памяти является резистивная мнемозина (resistive switching memory, ReRAM). Информация в таком виде памяти хранится в виде значения электрического сопротивления активного элемента, которое изменяется около воздействием прикладываемого электрического потенциала.

Обычно ячейки памяти ReRAM формируются держи базе структуры металл-диэлектрик-металл. В качестве диэлектрических компонентов ячеек памяти используются окиси переходных металлов, таких, (как) будто гафний и тантал. Прикладываемое к структуре ячейки памяти напряжение приводит к перемещениям атомов кислорода в оксидах, подобно как, в свою очередь, вызывает изменение электрического сопротивления активного элемента.

Одним из существенных недостатков технологии ReRAM является так, что, в силу особенностей процессов осаждения кислородосодержащих пленок, ячейки такой памяти не полагается располагать друг над другом в трехмерном пространстве, как это можно вытворять с ячейками Flash-памяти. Однако, исследователи из МФТИ нашли альтернативный способ получения тонких оксидных пленок как следует смещения атомарных слоев, помимо этого, ими же был разработан ненадеванный химический метод, позволяющий расположить и закрепить тонкие пленки в строго определенных местах держи поверхности.

«Самой трудной частью нашей работы был подбор «правильных» реагентов, использование которых обеспечивает точное выполнение всех этапов процесса нанесения тонкопленочного покрытия» — рассказывает Андря Маркеев, ведущий исследователь, — «Нам удалось найти составы вещества-активатора бери основе тантала, которое уже содержит в себе кислород, и основного реагента, в который-нибудь входит активированный плазменным способом водород. А для контроля получаемых результатов я использовали ряд аналитических технологий, таких, как электронная спектроскопия».

В своих дальнейших исследованиях ученые из МФТИ при помощи разработанных ими методов и технологий попытаются изготовить полноценные работоспособные ячейки ReRAM-памяти и получить измерения их всех основных параметров, имеющих отношение к скорости работы и надежности хранения информации.